Негатроника. Исторический обзор

ЛосевО.В. Детектор генератор и детектор усилитель // Телефония и телеграфия без проводов. – 1921. – №3.

Бонч-БруевичМ.А. // Телефония и телеграфия без проводов. – 1928. – №50.

БиберманЛ.И. Широкодиапазонные генераторы на негатронах. – М.: Радио и связь, 1982. – 89 с.

ЛебедевИ.В. Техника и приборы СВЧ. Т. II. Электровакуумные приборы СВЧ. Под ред. Н.Д.Девяткова М., «Высшая школа», 1972.

ShockleyW. Negative resistance arising from transit time in semiconducting diodes.-Bell System tech.J.,1954, v.33, p. 799...826.

GunnJ.B. Microwave oscillations of current in III-V semiconductors.- Solid state commun., 1963, #1, p. 88...91.

EsakiL. New phenomenon in narrow germanium p-n junctions.-Physical Review, 1958, V. 109, #2, p. 603...604.

ReadW.T. A proposed high frequency negative resistance diode. – Bell system tech. J., 1958, #37, p. 401.

ТагерА.С., МельниковА.И., ЦебковА.М., КобельниковГ.П. Явление генерации радиоволн полупроводниковым диодом. Диплом на открытие №24, приоритет от 27.10.1959, зарегистр. 17.03.1964.

JohnstonR.L., DeLoachB.C., CohenB.G. A silicon diode microwave oscillator. – Bell System Tech. J., 1965, #4, p. 569...372.

PragerH.J., Chang K.K.N., Weisbrods. – Microwave oscillator. proc. IEEE, 1967, #55, p. 586.

ColemanD.I., SzeS.M. A low-noise metal-semiconductor-metal (MSM) microwave oscillator.-Bell System Tech.3.,1971, v.50, p. 1695...1699.

ГаряиновС.А., АбергаузИ.Д. Полупроводниковые приборы с отрицательным сопротивлением. – М.: Энергия, 1970.

KyroyanagiN., WatanabeM. High speed pulse Current using Punch-through Avalanche Transistors.-Rew. of the Electrical Commun. Lab., 1966, V.14, #1...2, p. 97.

ДьяконовВ.П. Лавинные транзисторы и их применение в импульсных устройствах – М.: Сов. радио, 1973. – 208 с.

DillH. Inductive semiconductor elements and their application in bandpass amplifiers. – RE Transactions on military electronics. 1961, V. MIL-5, #3 p. 239...250.

КоломиецБ.Т., ЛебедевЭ.В., ТаксимиИ.А. Основные параметры переключателей на основе халькогенидных стеклообразных полупроводников // ФТП. – 1965. – №5, с. 731...735.

КасимовФ.Д., АгаевФ.Г., ФилинюкН.А. Физико-технические особенности проектирования кремниевых микроэлектронных преобразователей на основе негатронов / Под редакцией доктора физико-математических наук, профессора Ф.Д.Касимова – Баку, 1999. – 234 с.

JamaguchiJ. On the inductive reactance and negative resistance the transistor. – Journal Physical Society of Japan, 1956, V.11, p. 717...718.

AdamsD.K., HoR.Y.C. Filtering, frequency multiplexing and other microwave application with inverted-common-collector transistor circuits. – Internat. microwave simp., Dallas, may 1969, p. 14...20.

ФилинюкН.А. Активные СВЧ фильтры на транзисторах. – М.: Радио и связь, 1987. – 112 с.

СтедлэрХ. Использование транзистора для получения аналога стабилитрона с нулевым динамическим сопротивлением. // Электроника (США). – 1969. – №7. – С. 30...31.

АрефьевА.А., БаскановЕ.Н., СтепановаЛ.Н. Радиотехнические устройства на транзисторных эквивалентах p-n-p-n-структуры. – М.: Радио и связь, 1982. – 104 с.

НегоденкоО.Н., ЛипкоС.И., МирошниченкоС.П. Каскодные аналоги негатронов. // В кн. Полупроводниковая электроника в технике связи. Под ред. И.Ф. Николаевского. – М.: Радио и связь, 1986, вып. 26, С. 29...33.

Ранее опубликовано:

«Вимірювальна та обчислювальна техніка в технологічних процесах». – 1999. – №3. – С.38...43.

УДК 621.396.6: 621.049.774.011.3




29-04-2015, 05:12

Страницы: 1 2
Разделы сайта